CXLE82107高端的工作电压100V Vcc电源电压范围宽11V~30V静态功耗低4.5mA闭锁功能防止输出功率管导通输入通道HIN和LIN内建10K下拉电阻在输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态输出结构采用半桥式达林顿管结构

上传时间:2025-05-28 18:36:46 | 浏览次数:144 | 下载次数:0
CXLE82107高端的工作电压100V Vcc电源电压范围宽11V~30V静态功耗低4.5mA闭锁功能防止输出功率管导通输入通道HIN和LIN内建10K下拉电阻在输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态输出结构采用半桥式达林顿管结构
产品名称: CXLE82107高端的工作电压100V Vcc电源电压范围宽11V~30V静态功耗低4.5mA闭锁功能防止输出功率管导通输入通道HIN和LIN内建10K下拉电阻在输入悬空时使上下功率MOS管处于关闭状态输出结构采用半桥式达林顿管结构
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文件语言: 简体中文
版权类型: 嘉泰姆
技术要求: http://www.jtm-ic.com/shop/adc/banqia/banqia/2020-02-14/3994.html
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作 者: 嘉泰姆
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产品简介:
CXLE82107高端的工作电压可达100V,Vcc 的电源电压范围宽11V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有 闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻, 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。CXLE82107是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。
高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V
内建死区控制电路
电源电压欠压关断输出
自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道控制高端HO 输出
LIN 输入通道控制低端LO 输出
外围器件少
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[ CXLE82107 ]
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