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CXBD3570单通道高速低侧栅极驱动器：高效、低成本的MOSFET和IGBT驱动解决方案

CXBD3570单通道高速低侧栅极驱动器：高效、低成本的MOSFET和IGBT驱动解决方案

CXBD3570是一款专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而设计的单通道高速低侧栅极驱动器。该器件能够为电容负载提供高强度的峰值拉/灌电流脉冲，并具备轨到轨驱动能力，确保快速且稳定的开关操作。CXBD3570的宽电源电压范围（4V～20V）和低静态功耗使其在各种电源管理应用中表现出色。其双输入设计（可选择反相IN-或正相IN+驱动器配置）提供了灵活的应用选择。在VDD =12V时，CXBD3570能够提供峰值4A的对称驱动电流，确保高效驱动。器件采用SOT23-5封装，适合空间受限的应用场景。

2025-05-24 19:57:48

<font color='FF4B0A'>0.5V低输入电压1A高速电压调整器附带外部调整限定电流值的功能CXLD64201超低导通电阻用于低电压同时高效率输出大电流应用</font>

0.5V低输入电压1A高速电压调整器附带外部调整限定电流值的功能CXLD64201超低导通电阻用于低电压同时高效率输出大电流应用

CXLD64201系列产品能从0.5V的输入电压开始工作。此外，因为是超低导通电阻，最适用于需要在低电压同时高效率地输出大电流的应用。输出电压为±15mV/±20mV且精度高，内部由N沟道驱动晶体管,基准电压源,误差放大器,过电流保护电路（反馈）,过热保护电路(TSD),欠压锁闭电路(输入欠压锁闭),软启动电路,相位补偿电路等构成。输出电压由内部激光微调固定，能在0.5V～1.8V的范围内以0.1V的间隔选择产品。输出滤波电容(CL)还能对应陶瓷等低ESR电容。反馈电路当输出电流达到限定电流时，在与输出电压下降的同时，开始减少输出电流的动作。通过调整引脚ILIM连接电阻能任意地设定限定电流值。通过CE引脚使IC成待机状态能大幅度降低消耗电流。此外，由内部开关能使CL中的充电电荷高速放电，迅速地返回VSS电平。并且，在IC内部CE引脚内置下拉电阻，在CE未连接电平时，使IC成待机状态

2020-06-21 10:32:57

<font color='FF4B0A'>高速LDO调整器低ESR电容输出ON/OFF可控CXLD64172高精度低噪声正电压CMOS生产工艺高纹波抑制和低输入输出压差的特性</font>

高速LDO调整器低ESR电容输出ON/OFF可控CXLD64172高精度低噪声正电压CMOS生产工艺高纹波抑制和低输入输出压差的特性

CXLD64172系列是高精度,低噪声, 正电压LDO调整器芯片,并采用CMOS生产工艺。具有高纹波抑制和低输入输出压差的特性。CXLD64172系列芯片内部包括一个参考电压源,一个误差运算放大器,一个电流限制器,一个相位补偿电路和一个驱动三极管。CXLD64172系列输出电压范围是从0.9V到6.0V,间隔为0.05V。用低ESR陶瓷电容,即可使输出稳定,并且具有良好的瞬态响应,即使负载变化也能保证电路稳定的工作。CXLD64172系列的foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。具有CE功能,可使芯片停止工作,以降低功耗

2020-06-20 10:22:14

<font color='FF4B0A'>CXLD64250输出电流2A超低压差线性稳压器稳定地输出低电压和大电流输入电压2.5V至5.5V过流限制过温保护逻辑控制关断</font>

CXLD64250输出电流2A超低压差线性稳压器稳定地输出低电压和大电流输入电压2.5V至5.5V过流限制过温保护逻辑控制关断

CXLD64250是一款输出电流可达2A的超低压差线性稳压器，外接很少的元件就能稳定地输出低电压和大电流。它具有高精度、超低压差、低静态电流的特点。CXLD64250在输入电压2.5V至5.5V范围内工作，可以输出2A电流，输入输出元件分别仅需要2.2μF和10μF陶瓷电容。高带宽的环路提供了优异的瞬态响应特性。它是专门为需要低压大电流电源的数字电路（如PLD、DSP、微控制器等）而设计的。CXLD64250还包括了过流限制、过温保护、逻辑控制关断、输出低于标准值10％的故障指示等特点。固定输出电压版本分别有1.5V、1.8V、2.5V、3.3V可供选择，也提供可调输出电压版本。由于基准电压为0.8V，因此输出电压可设置为：0.8V至4.5V

2020-06-23 10:36:16

<font color='FF4B0A'>负电压调整器CXLD64193K高精度低功耗CMOS工艺和激光微调技术制造输入输出低压差输出大电流高精度参考电压源误差校正电路带限流的输出组成</font>

负电压调整器CXLD64193K高精度低功耗CMOS工艺和激光微调技术制造输入输出低压差输出大电流高精度参考电压源误差校正电路带限流的输出组成

CXLD64193K系列是高精度,低功耗,负电压调整器，采用CMOS工艺和激光微调技术制造。该系列能在输入-输出低压差的条件下输出大电流，它由一个高精度参考电压源,一个误差校正电路和一个带限流的输出组成

2020-06-21 10:33:55

<font color='FF4B0A'>28V的高速低消耗电压调整器CXLD64202输出电压由内部激光微调1.8V～18.0V的范围内以0.1V间隔进行设定降低了待机模式时的消耗电流</font>

28V的高速低消耗电压调整器CXLD64202输出电压由内部激光微调1.8V～18.0V的范围内以0.1V间隔进行设定降低了待机模式时的消耗电流

CXLD64202系列是采用CMOS工艺,工作电压为28V的正电压调整器芯片。内部由基准电压源,误差放大器,驱动晶体管,限制电流电路,过热保护电路,相位补偿电路等构成。输出电压由内部激光微调，可在1.8V～18.0V的范围内，以0.1V间隔进行设定。稳定输出用电容CL还可与陶瓷电容等低ESR电容相对应。内置了过电流保护电路和过热保护电路，当输出电流达到限制电流或结温度达到限制温度时，保护电路开始工作。采用CE功能停止电压调整器的输出，达到待机模式。大幅度降低了待机模式时的消耗电流

2020-06-21 10:32:49

<font color='FF4B0A'>10.5V工作电压200mA高速低消耗电流LDO电压调整器CXLD64197耗电流达到了非常低的5.5μA的同时,与既往的高速LDO具有相同等级的负载瞬态响应特性；高精度,低噪声,低压差的CMOS LDO电压调整器。本IC由基准电压源,误差放大器,驱动器晶体管,电流限定电路,过热保护电路,相位补偿电路等构成。作为CE功能，在CE引脚输入低（L）电平电压能停止电压调整器的输出</font>

10.5V工作电压200mA高速低消耗电流LDO电压调整器CXLD64197耗电流达到了非常低的5.5μA的同时,与既往的高速LDO具有相同等级的负载瞬态响应特性；高精度,低噪声,低压差的CMOS LDO电压调整器。本IC由基准电压源,误差放大器,驱动器晶体管,电流限定电路,过热保护电路,相位补偿电路等构成。作为CE功能，在CE引脚输入低（L）电平电压能停止电压调整器的输出

2020-06-21 10:33:29

<font color='FF4B0A'>0.5V低输入电压1A高速电压调整器CXLD64200由内部开关能使CL中的充电电荷高速放电附带外部调整软启动时间的功能</font>

0.5V低输入电压1A高速电压调整器CXLD64200由内部开关能使CL中的充电电荷高速放电附带外部调整软启动时间的功能

CXLD64200系列产品能从0.5V的输入电压开始工作。此外，因为是超低导通电阻，最适用于需要在低电压同时高效率地输出大电流的应用。输出电压为±15mV/±20mV且精度高，内部由N沟道驱动晶体管,基准电压源,误差放大器,过电流保护电路（反馈）,过热保护电路(TSD),欠压锁闭电路(输入欠压锁闭),软启动电路,相位补偿电路等构成。输出电压由内部激光微调固定，能在0.5V～1.8V的范围内以0.1V的间隔选择产品。输出滤波电容(CL)还能对应陶瓷等低ESR电容。在IC启动时，软启动电路给CL充电，能抑制从VIN急剧地流向VOUT的冲击电流，能抑制从VIN急剧地流向VOUT的冲击电流。通过调节SS引脚连接的电容能任意地设定软启动时间。因为冲击电流与软启动时间成相反的关系，设定延长软启动时间能抑制冲击电流。通过CE引脚使IC成待机状态能大幅度降低消耗电流。此外，由内部开关能使CL中的充电电荷高速放电，迅速地返回VSS电平。并且，在IC内部CE引脚内置下拉电阻，在CE未连接电平时，使IC成待机状态。

2020-06-21 10:33:05

<font color='FF4B0A'>CXLD64171相位补偿电路误差放大器电流限制器GO功能通过在高速和节能两种不同模式之间的自动切换</font>

CXLD64171相位补偿电路误差放大器电流限制器GO功能通过在高速和节能两种不同模式之间的自动切换

CXLD64171系列是高精度,低噪声,高速度,带有Green Operation（GO）功能，采用CMOS生产工艺的低压差LDO电压调整器。这个系列内部包括一个参考电压源，一个误差放大器，电流限制器，和相位补偿电路。根据负载电流大小值的变化，GO功能通过在高速和节能两种不同模式之间的自动切换，来实现高速,低功耗,高效率。对应GO功能切换点的负载电流值已经在芯片内部被设定。如果仅需要高速工作模式时，通过在芯片的GO引脚端子输入高电平就可以实现。因此芯片在不同的工作应用条件下有着合适的消耗电流。CE功能允许电压调整器的输出被关断，可极大的减少功率损耗。对于CXLD64171B/D系列,在芯片内部导通输出引脚端VOUT和接地端子VSS之间开关，通过芯片内部的自动放电回路将输出端电容CL中的电放光，使得输出端VOUT的电压迅速变为零。CXLD64171系列兼容低ESR的陶瓷电容。CXLD64171系列的电压输出范围是从0.8V～5.0V，采用激光微调技术，以0.05V为间隔自由设定。CXLD64171系列的电流限制器Foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护

2020-06-20 10:22:20

<font color='FF4B0A'>1A高速LDO电压调整器CXLD64199 N沟道驱动晶体管基准电压源误差放大器过电流保护电路过热保护电路欠压锁闭电路(输入欠压锁闭)软启动电路相位补偿电路等构成</font>

1A高速LDO电压调整器CXLD64199 N沟道驱动晶体管基准电压源误差放大器过电流保护电路过热保护电路欠压锁闭电路(输入欠压锁闭)软启动电路相位补偿电路等构成

CXLD64199系列产品能从0.5V的输入电压开始工作。此外，因为是超低导通电阻，特别适用于需要在低电压同时高效率地输出大电流的应用。输出电压为±15mV/±20mV且精度高，内部由N沟道驱动晶体管,基准电压源,误差放大器,过电流保护电路（反馈）,过热保护电路(TSD),欠压锁闭电路(输入欠压锁闭),软启动电路,相位补偿电路等构成。输出电压由激光微调在内部固定，能在0.5V～1.8V的范围内以0.1V的间隔选择产品。输出滤波电容(CL)还能对应陶瓷等低ESR电容。因为在IC启动时，软启动电路给CL充电，能抑制从VIN急剧地流向VOUT的冲击电流，并且，还能抑制由冲击电流带来的VIN的变动。在内部实施了软启动时间的最佳化。在CE引脚使IC成待机状态能大幅度降低消耗电流。此外，由内部开关能使CL中的充电电荷高速放电，迅速地返回VSS电平。并且，在IC内部CE引脚内置下拉电阻，在CE未连接电平时，使IC成待机状态。

2020-06-21 10:33:14

<font color='FF4B0A'>CXLD64174高速LDO调整器低ESR电容输出ON/OFF可控高精度低噪声CMOS生产工艺高纹波抑制和低输入输出压差</font>

CXLD64174高速LDO调整器低ESR电容输出ON/OFF可控高精度低噪声CMOS生产工艺高纹波抑制和低输入输出压差

CXLD64174系列是一款高精度,低噪声,LDO正电压调整器芯片,并采用了CMOS生产工艺。具有高纹波抑制和低输入输出压差。CXLD64174系列芯片内部包括一个参考电压源,一个误差放大器,一个电流限制器,一个相位补偿电路和一个驱动三极管。CXLD64174系列的电压输出范围是从1.2V到5.0V,间隔为0.05V。CXLD64174系列使用低ESR的陶瓷电容,便可使输出稳定。CXLD64174系列的电流限制器foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护

2020-06-20 10:22:00

<font color='FF4B0A'>CXLD64195输出电压1.2V～5.0V最大输出电流500mA CMOS LDO电压调整器内置反馈电路限定输出电流及输出引脚的短路保护过热保护电路</font>

CXLD64195输出电压1.2V～5.0V最大输出电流500mA CMOS LDO电压调整器内置反馈电路限定输出电流及输出引脚的短路保护过热保护电路

CXLD64195系列是输出电压范围为1.2V～5.0V（0.05V间隔）,最大输出电流500mA,即使不使用稳定输出的电容（CL）也能实现稳定工作的CMOS LDO电压调整器。因为不需使用稳定输出的电容（CL）也能实现稳定工作，能以极小的尺寸构成包括外置元件的电源电路。保护电路中内置了反馈电路（限定输出电流及输出引脚的短路保护）和过热保护电路。CXLD64195P是有3个引脚的电压调整器。CXLD64195D具有CE引脚，能输入低电平使IC处于待机状态。此外，在使用稳定输出的电容（CL）时，能由内部开关使CL的充电电荷放电。此放电功能可使VOUT引脚高速地返回到VSS电平

2020-06-21 10:33:42

<font color='FF4B0A'>1.0V低输入电压400mA LDO电压调整器CXLD64198内置N沟道FET低输出电压可通过超低导通阻抗高效地输出电流</font>

1.0V低输入电压400mA LDO电压调整器CXLD64198内置N沟道FET低输出电压可通过超低导通阻抗高效地输出电流

CXLD64198系列是内置N沟道FET,可输出400mA的高速LDO电压调整器。即使是低输出电压也可通过超低导通阻抗高效地输出电流。该系列适用于低输入电压以及要求低输入输出电压差的应用。CXLD64198系列内部由基准电压源,误差放大器,驱动三级管,定电流限制电路,FOLD-BACK电路,过热保护电路（TSD）,欠压锁闭电路（UVLO）和相位补偿电路组成。通过激光微调技术，输出电压范围是0.7V～1.8V，0.05V间隔设定。输出电容（CL）可使用低ESR类型的电容。当输出电流达到限制电流或者结温度达到限制温度的时候，过流保护电路（定电流限制电路,FOLD-BACK电路）和过热保护电路（TSD）就会工作，起到保护IC的作用。当VBIAS和VIN端子之间的电压比UVLO电压低的时候，电压调整器的输出就会被关断。在CE端子输入低电平的时候，IC进入待机模式，消耗电流会大幅减小。同时，进入待机模式的时候，输出电容（CL）上的电荷可通过VOUT端子和VSS端子之间的内部开关释放，使电压快速返回到VSS电平

2020-06-21 10:33:22

<font color='FF4B0A'>2.5V到5.5V的输入电压600mA瞬态回应快高PSRR大负载电流的低漏失线性调整器CXLD64252低静态电流和快速启动</font>

2.5V到5.5V的输入电压600mA瞬态回应快高PSRR大负载电流的低漏失线性调整器CXLD64252低静态电流和快速启动

CXLD64252是一款瞬态回应快、高PSRR、大负载电流的低漏失线性调整器。它具有输出精度高，漏失电压很小，低静态电流和快速启动的特点。CXLD64252可以在低ESR的陶瓷电容下工作，从而节约了实际应用中PCB板的面积。CXLD64252在全负载工作下仅需要2.2uF的陶瓷电容就可以保证稳定性。当CXLD64252检测到故障信号，例如过温关断信号时，芯片会关断功率管并将VOUT通过内部电阻放电止地。CXLD64252为内部固定输出电压，内部输出电压的范围从0.8V到3.6V。其它的关键特性还包括过流保护，过温关断。CXLD64252可应用于SOT23-5的封装。

2020-06-23 10:36:03

<font color='FF4B0A'>CXLD64249输出1A电流的超低压差线性稳压器稳定地输出低电压和大电流高精度超低压差低静态电流</font>

CXLD64249输出1A电流的超低压差线性稳压器稳定地输出低电压和大电流高精度超低压差低静态电流

CXLD64249是一款可以输出1A电流的超低压差线性稳压器，外接很少的元件就能稳定地输出低电压和大电流。它具有高精度、超低压差、低静态电流的特点。CXLD64249在输入电压2.5V至5.5V范围内工作，输入输出元件分别仅需要1湩和4.7湩陶瓷电容，可以输出1A电流。高带宽的环路提供了优异的瞬态响应特性。它是专门设计用于需要低压大电流的数字电路电源（如PLD、DSP、微控制器等）。这款器件还包括了过温保护、过流限制、逻辑控制关断、输出低于标准值10％的故障指示等特点。固定输出电压分别有1.5V、1.8V、2.5V、3.3V可供选择，也提供输出电压可调的版本，它的参考电压值是0.8V，可设置的输出电压范围是0.8V至4.5V

2020-06-23 10:36:23

<font color='FF4B0A'>低消耗电流CXLD64170高精度低功耗3引脚LDO高电压调整器芯片CMOS工艺和激光微调技术低ESR陶瓷电容</font>

低消耗电流CXLD64170高精度低功耗3引脚LDO高电压调整器芯片CMOS工艺和激光微调技术低ESR陶瓷电容

CXLD64170系列是一款高精度,低功耗,3引脚LDO高电压调整器芯片,并采用 CMOS工艺和激光微调技术. 在输出电流较大的情况下,输入输出压差也能很小。CXLD64170系列芯片内部包括一个电流限制电路,一个驱动三极管,一个高精度参考电压源和一个误差校正电路。CXLD64170系列可使用低ESR陶瓷电容.电流限制器的foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。通过激光微调技术,可设定芯片的输出电压,其范围是1.2V至5.0V,间隔为0.1V

2020-06-20 10:22:31

<font color='FF4B0A'>0.6μA超低消耗电流超小型电压调整器CXLD64196由基准电压源误差放大器驱动晶体管过电流保护电路相位补偿电路等构成</font>

0.6μA超低消耗电流超小型电压调整器CXLD64196由基准电压源误差放大器驱动晶体管过电流保护电路相位补偿电路等构成

CXLD64196系列产品是实现了0.6μA超低消耗电流的电压调整器。此外，在输出电流为1μA(轻负载)时，也能得到稳定的电压，最适用于只需少量输出电流的应用目的。加上采用了0.75×0.95 mm的超小型封装USPN-4B02，对应了无稳定输出用电容(CL)，可以大幅度减少实装面积。本IC由基准电压源,误差放大器,驱动晶体管,过电流保护电路,相位补偿电路等构成。尽管CL能对应陶瓷等低ESR电容，但由内部相位补偿即使没有CL也能实现稳定工作。由内部激光微调固定了输出电压，可以在1.1V～5.0V之间以0.1V的间隔选择产品。通过从CE端子输入L电平，可以使IC成待机状态，把消耗电流降低到0.1μA以下。此外，在待机状态时，用内部开关使充电在CL上的电荷放电，可以高速地返回到VSS电平

2020-06-21 10:33:35

<font color='FF4B0A'>无需输出电容低消耗电流200mA高速LDO电压调整器CXLD64194输出1.2V～5.0V低噪声低消耗电流CMOS</font>

无需输出电容低消耗电流200mA高速LDO电压调整器CXLD64194输出1.2V～5.0V低噪声低消耗电流CMOS

CXLD64194系列是输出范围在1.2V～5.0V（0.05V间隔）,不需输出电容也能稳定输出并且能对应输入6.0V，高速,低噪声,低消耗电流,CMOS

2020-06-21 10:33:49

<font color='FF4B0A'>CXLD64175高速电压调整器过热保护功能CMOS工艺的大电流低噪声高精度的正电压调整器基准电压源误差放大电路限流保护电路过热保护电路</font>

CXLD64175高速电压调整器过热保护功能CMOS工艺的大电流低噪声高精度的正电压调整器基准电压源误差放大电路限流保护电路过热保护电路

CXLD64175系列是采用CMOS工艺的大电流,低噪声,高精度的正电压调整器。由高精度基准电压源,误差放大电路,限流保护电路,过热保护电路以及相位补偿电路和输出驱动晶体管组成。输出电压以0.1V为间隔在1.2V－5.0V范围之间设定。（1.2V,1.5V,1.8V,2.5V,3.0V,3.3V是标准输出电压产品。其他输出电压值的产品是客户定制产品。）该系列兼容低ESR的陶瓷电容，由于该系列良好的负载响应特性，即使负载发生变化时也能获得一个稳定的输出电压。内置过流以及温度过热保护电路，当输出电流达到最大极限值时过流保护电路将起作用。而当芯片温度达到一定水平时过热保护电路将起作用，保护芯片不被损坏

2020-06-20 10:21:43

<font color='FF4B0A'>CXLD64173高速LDO误差放大器电流限制器相位补偿器CMOS生产工艺高精度低噪声大电流低输入输出电压差的正电压调整器</font>

CXLD64173高速LDO误差放大器电流限制器相位补偿器CMOS生产工艺高精度低噪声大电流低输入输出电压差的正电压调整器

CXLD64173系列是采用CMOS生产工艺的高精度,低噪声,大电流,低输入输出电压差的正电压调整器。此系列芯片内置有参考电压源,误差放大器,电流限制器,相位补偿器和一个驱动晶体管。由于内置了一个低导通电阻的驱动晶体管,即使在输入输出电压差很小时也可保证电池的正常使用，从而延长了电池的使用寿命。此系列调整器可使用低ESR的陶瓷电容便可使输出稳定。输出电压是从0.8V到5.0V，间隔为0.05V。电流限制器的反馈回路可作为输出电流限制器并保护输出引脚。通过CE功能可使芯片处于待机状态，此时功耗被极大地降低。

2020-06-20 10:22:07

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