MOSFET驱动 - 标签结果页

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CXMD32143 600V半桥预驱动芯片 | 单输入控制独立使能 - 嘉泰姆电子

2026-04-29 20:45:58

<strong><font color='FF4108'>CXMD32141 600V半桥预驱动芯片 | 单输入控制内置关断与死区 - 嘉泰姆电子</font></strong>

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2026-04-29 19:41:15

<strong><font color='FF4108'>CXMD32140 600V半桥预驱动芯片 | 低侧反相输入内置死区 - 嘉泰姆电子</font></strong>

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2026-04-29 19:29:44

<strong><font color='FF4108'>CXMD3263A 半桥栅极驱动芯片 | 600V高侧耐压内置死区 - 嘉泰姆电子</font></strong>

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2026-04-29 19:08:37

CXBD3570单通道高速低侧栅极驱动器：高效、低成本的MOSFET和IGBT驱动解决方案

CXBD3570单通道高速低侧栅极驱动器：高效、低成本的MOSFET和IGBT驱动解决方案

CXBD3570是一款专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而设计的单通道高速低侧栅极驱动器。该器件能够为电容负载提供高强度的峰值拉/灌电流脉冲，并具备轨到轨驱动能力，确保快速且稳定的开关操作。CXBD3570的宽电源电压范围（4V～20V）和低静态功耗使其在各种电源管理应用中表现出色。其双输入设计（可选择反相IN-或正相IN+驱动器配置）提供了灵活的应用选择。在VDD =12V时，CXBD3570能够提供峰值4A的对称驱动电流，确保高效驱动。器件采用SOT23-5封装，适合空间受限的应用场景。

2025-05-24 19:57:48

CXBD3571单通道高速低侧栅极驱动器高效驱动MOSFET和IGBT的理想选择

CXBD3571单通道高速低侧栅极驱动器高效驱动MOSFET和IGBT的理想选择

CXBD3571是一款高性能单通道低侧栅极驱动器，专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而设计。该器件在4V至20V的宽电压范围内工作，提供高达4A的峰值拉/灌电流，确保高效的电源开关控制。CXBD3571采用SOT23-5封装，具有外围器件少、传播延迟短的特点，是NPN和PNP离散解决方案的理想替代品。

2025-05-24 19:51:22

<strong><font color='FF4108'>CXBD3570单通道高速低侧栅极驱动器：高效、低成本的MOSFET和IGBT驱动解决方案</font></strong>

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2025-05-02 16:04:53

<strong><font color='FF4108'>CXBD3571单通道高速低侧栅极驱动器高效驱动MOSFET和IGBT的理想选择</font></strong>

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2025-05-02 16:04:58

<strong><font color='FF4108'>CXBD3572单通道高速低侧栅极驱动器4V-20V宽电压2A峰值电流SOT23-5封装</font></strong>

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2025-05-02 16:05:03

CXBD3573

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2025-05-02 19:31:44

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2026-04-30 08:39:29