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CXMS5204是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制作高密度工艺特别适合于最小化导通电阻蜂窝电话和笔记本电脑电源管理其他电池供电电路低在线功耗

产品型号：	CXMS5204
产品类型：	MOSFET
产品系列：	P沟道MOSFETs
产品状态：	量产
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产品简介

CXMS5204是一种P通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制作。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理，其他电池供电电路，并要求低在线功耗。该产品是在一个非常小的轮廓表面安装包
z -20V/-3.3A, RDS(ON) = 36m-ohm (Typ.) @VGS = -10V
z -20V/-2.8A, RDS(ON) = 45m-ohm @VGS = -4.5V
z -20V/-2.3A, RDS(ON) = 55m-ohm @VGS = -1.8V
z Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

技术参数

输入电压范围 (VIN)	V ~ 20VV
输出电流 (IOUT)	-3.5AA
封装类型	SOT-23-3
Channel type	P沟道
Rated voltage	20V
Rated current	3.5A
On resistance	.11

产品详细介绍

1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）

5.产品封装 6.电路原理图 7.相关产品

一.产品概述

CXMS5204 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management, other battery powered circuits, and low in-line power loss are required. The product is in a very small outline surface mount package.

二.产品特点

z -20V/-3.3A, RDS(ON) = 36m-ohm (Typ.) @VGS = -10V

z -20V/-2.8A, RDS(ON) = 45m-ohm @VGS = -4.5V

z -20V/-2.3A, RDS(ON) = 55m-ohm @VGS = -1.8V

z Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

z SOT-23-3L package design

三.应用范围

四.技术规格书（产品PDF)

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！