CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR是P沟道功率MOSFET有低导通电阻和超高速开关特性高速开关是可能的有效地设置集成电路内置了栅极保护二极管。

CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR是P沟道功率MOSFET有低导通电阻和超高速开关特性高速开关是可能的有效地设置集成电路内置了栅极保护二极管。

产品型号:CXCP5396A11E5MR
产品类型:MOSFET
产品系列: P沟道MOSFETs
产品状态:量产
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产品简介

CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR是一种P沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和超高速开关特性,由于高速开关是可能的,因此可以有效地设置集成电路,从而节省能源。为了抗静电,内置了栅极保护二极管。

技术参数

输入电压范围 (VIN) V ~ VDS(Max):-30V
输出电压 (VOUT)驱动电压(V):-4.5V
工作频率160pFHz
封装类型SOT-23
Channel typeP沟道
Rated voltageVGS(Max):-1~-3
Rated currentID (Max):-0.7
On resistance.35
Gate chargeVgss(V)):20

产品详细介绍

目录

1.产品概述       2.产品特点     

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)

5.产品封装       6.电路原理图  

7.相关产品

   产品概述 返回TOP


   The CXCP5396A11E5MR CXCP5396A12COMR is an P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy.In order to counter static, a gate protect diode is built-in.

   产品特点 返回TOP


blob.png

   应用范围 返回TOP


●Notebook PCs 

●Cellular and portable phones 

●On-board power supplies 

●Li-ion battery systems

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP 


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 QQ截图20160419174301.jpg

产品封装图 返回TOP


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电路原理图 返回TOP


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功率MOSFET  P沟道

产品名称

封装

Rds(ON)

(Ω)MAX

Vgs=2.5V

Rds(ON) 

(Ω) 

Vgs=4.5V

Rds(ON) 

(Ω) 

Vgs=4.5V 

MAX

Vgs

(off) 

(V)

MIN

Vgs(off) 

(V) MAX

Ciss

(pF)

Vdss

(V)

Vgss

(V)

Id(A)

驱动

电压

(V)

CXCP5394A11COPR

SOT-89

 

0.2

0.28

-1

-2.5

280

-30

20

-2.5

-4.5

CXCP5394A12A6PR

SOT-89

0.3

0.13

0.17

-0.5

-1.2

310

-20

12

-2.5

-2.5

CXCP5395A0003MR

SOT-23

 

0.067

0.095

-1.2

-2.6

435

-30

20

-3

-4

CXCP5395A0003PR

SOT-89

 

0.07

0.1

-1.2

-2.6

450

-30

20

-5

-4

CXCP5396A11E5MR

SOT-23

 

0.35

0.45

-1

-3

160

-30

20

-0.7

-4.5

CXCP5396A12COMR

SOT-23

0.5

0.23

0.3

-0.5

-1.2

180

-20

12

-0.7

-2.5

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