CXCP5366采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低工作电压栅极电压可低至2.5V适合用于电池保护或PWM开关中的应 用

CXCP5366采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低工作电压栅极电压可低至2.5V适合用于电池保护或PWM开关中的应 用

产品型号:CXCP5366
产品类型:MOSFET
产品系列: P沟道MOSFETs
产品状态:量产
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产品简介

CXCP5366采用先进工艺,提供较低的导通电阻,低 栅极电荷和低工作电压,栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护,或PWM开关中的应 用

技术参数

输入电压范围 (VIN) V ~ -20V V
输出电压 (VOUT)52 毫欧V
输出电流 (IOUT)-4.1A A
封装类型SOT23-3
Channel typeP沟道
Rated voltage栅极阈值电压):0.7V
Rated current最大导通电流:-4.1A
On resistance52 毫欧

产品详细介绍

1.产品概述    2.产品特点     

3.应用范围    4.技术规格书下载(PDF文档)

5.产品封装    6.电路原理图  

     7.相关产品

产品概述                                             返回TOP


CXCP5366采用先进工艺,提供较低的导通电阻,低 栅极电荷和低工作电压,栅极电压可低至2.5V。 CXCP5366适合用于电池保护,或PWM开关中的应 用。

产品特点                 返回TOP


 电池保护 

 负载开关

  电源管理

应用范围                                             返回TOP


  VDS = -20V,ID = -4.1A RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V

  较高的功率和电流处理能力

  3 管脚 SOT23 封装

  产品无铅,满足 rohs,不含卤素

技术规格书(产品PDF)                           返回TOP 

要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!

 QQ截图20160419174301.jpg

产品封装图                                               返回TOP


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电路原理图                                               返回TOP


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相关芯片选择指南                                      返回TOP


型号

最大漏源电压

栅极阈值电压

最大导通电流

导通阻抗

封装

CXCP5366

-20V

0.7V

-4.1A

52 毫欧

SOT23-3

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