CXLE82112三相半桥电路驱动芯片N型功率MOSFET和IGBT等高压高速功率器件的三相栅极驱动电路三个独立的半桥驱动电路内置死区时间保功率管上下桥臂不会同时导通

CXLE82112是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出。
高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V 
适应 5V 或者 3.3V 输入电压
输出电流能力+0.2A/-0.35A
欠压保护
使能控制
输入输出相反
过流保护关断六通道输出
集成三个独立的半桥驱动器
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通

目录

1.产品概述       2.产品特点     

3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）

5.产品封装       6.电路原理图  

7.相关产品

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       CXLE82112 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出。

   产品特点 返回TOP

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高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V 

适应 5V 或者 3.3V 输入电压

输出电流能力+0.2A/-0.35A

欠压保护

使能控制

输入输出相反

过流保护关断六通道输出

集成三个独立的半桥驱动器

内建死区控制电路

自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通

封装形式：SOP28L

   应用范围 返回TOP

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三相电机驱动

DC-AC 逆变

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP 

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产品封装图 返回TOP

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MOSFET驱动芯片
型号	工作型号	电流	封装	说明
CXLE82104	3V～30V	1A	SOP-8	单通道MOS驱动
CXLE82105	8V～30V		SOP-8	半桥驱动芯片
CXLE82106	3V~30V	1A	SOP-8	单通道功率MOSFET驱动芯片
CXLE82107	11V～30V		SOP8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片
CXLE82108	11V～30V		SOP-8	大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片
CXLE82109	10V-15V		SOP-8	大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片
CXLE82110	2.8V-20V	1A/1.5A	SOP-8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
CXLE82111	2.8V-20V	1A/1.5A	SOP-8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
CXLE82112	5V 3.3V	0.2A/-0.35A	SOP28L	三相半桥电路驱动芯片
CXLE82113	4.5V-20V	1.2A/-1.4A	TSSOP20	三相半桥驱动芯片
CXLE82114	2.8V-20V	1.8A/-1.8A	SOP28L	两相半桥驱动芯片