CXLE82108内建死区控制电路自带闭锁功能上下管输出同时导通半桥达林顿管输出结构有1A大电流栅极驱动能力无刷电机N沟道MOS管IGBT管栅极驱动HIN输入通道高电平有效控制高端HO输出LIN输入通道低电平有效控制低端LO输出

CXLE82108是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。CXLE82108 高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出
LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小：4.5mA

目录

1.产品概述       2.产品特点     

3.应用范围       4.技术规格书下载（PDF文档）

5.产品封装       6.电路原理图  

7.相关产品

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         CXLE82108 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。
  CXLE82108 高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。

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 高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V

内建死区控制电路

自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通

采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力

专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动

HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出

LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出

外围器件少

静态电流小：4.5mA

封装形式：SOP-8

   应用范围 返回TOP

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 电动摩托车控制器

电动自行车控制器

100V 降压型开关电源

变频水泵控制器

无刷电机驱动器

高压Class-D 类功放

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产品封装图 返回TOP

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MOSFET驱动芯片
型号	工作型号	电流	封装	说明
CXLE82104	3V～30V	1A	SOP-8	单通道MOS驱动
CXLE82105	8V～30V		SOP-8	半桥驱动芯片
CXLE82106	3V~30V	1A	SOP-8	单通道功率MOSFET驱动芯片
CXLE82107	11V～30V		SOP8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片
CXLE82108	11V～30V		SOP-8	大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片
CXLE82109	10V-15V		SOP-8	大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片
CXLE82110	2.8V-20V	1A/1.5A	SOP-8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
CXLE82111	2.8V-20V	1A/1.5A	SOP-8	大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
CXLE82112	5V 3.3V	0.2A/-0.35A	SOP28L	三相半桥电路驱动芯片
CXLE82113	4.5V-20V	1.2A/-1.4A	TSSOP20	三相半桥驱动芯片
CXLE82114	2.8V-20V	1.8A/-1.8A	SOP28L	两相半桥驱动芯片