
CXESD-5VDSA 5V单向大电流ESD静电保护二极管 | DFN1610封装 | 100A浪涌 | 1300W - 嘉泰姆电子
| 产品型号: | CXESD-5VDSA |
| 产品类型: | 电池保护IC |
| 产品系列: | ESD静电保护管 |
| 产品状态: | 量产 |
| 浏览次数: | 8 次 |
产品简介
技术参数
| 输入电压范围 (VIN) | 5V |
|---|---|
| 输出电流 (IOUT) | 100A |
| 工作频率 | 1MHz |
| 转换效率 | 95% |
| 封装类型 | DFN1610-2L |
| Type | ESD静电保护管 |
| Overcharge voltage | 6.5V~8.2V |
| Overcurrent current | 100A |
| Short protection | 支持 |
| Operating temp | -20~150℃ |
| Features | 单向 |
| Application | 手机,便携设备,数码相机,电源 |
| 结电容(typ) | 900pF |
| ESD保护 | 30kV (空气/接触) |
| Pppm | 1300W |
产品详细介绍
CXESD-5VDSA 5V 单向大电流 ESD 静电保护二极管
DFN1610-2L 封装 | 100A 浪涌 | 1300W 峰值脉冲功率 | ±30kV 空气/接触放电
产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXESD-5VDSA | 封装:DFN1610-2L
技术咨询:ouamo18@jtm-ic.com 或致电 13823140578 (嘉泰姆电子)
嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXESD-5VDSA 是一款采用 DFN1610-2L 塑料封装的 单向大电流静电放电(ESD)保护二极管,专为需要高能量瞬态防护的电源线、电池线与 Vbat 引脚等位置设计。器件反向工作电压(VRWM)为 5.0V Max,击穿电压 6.5V~8.2V,在 100A 峰值脉冲电流下钳位电压低至 11.8V(典型值)、最大 13.0V,1.0A 下典型钳位电压约 7.6V,能在大电流瞬态到来时把电压限制在安全范围。CXESD-5VDSA 的核心优势是 大电流与高功率承受能力:峰值脉冲电流高达 100A(8/20μs,IEC 61000-4-5),峰值脉冲功率 1300W,ESD 抗扰能力达到 ±30kV(空气放电)/ ±30kV(接触放电)(IEC 61000-4-2),在同类 5V 保护器件中属于高能量等级。器件漏电流最大 200nA,正向压降典型 0.7V,是电源线保护、电池保护、移动设备 Vbat 引脚、手持便携应用、手机及配件以及便携电子产品等高能量瞬态防护的理想选择。
1. 产品概述与市场定位
在移动设备、便携电子产品与电池供电系统中,电源线、电池连接线与 Vbat 引脚是最容易承受大能量瞬态应力的位置。与数据线不同,这些位置不仅需要抵抗人体静电(数安培级、纳秒级),还可能承受线缆放电、电池插拔浪涌甚至感应雷击(数十至上百安培、微秒级)。普通的低电容 ESD 器件虽然结电容小,但浪涌承受能力有限,若用于电源线保护可能在一次较大瞬态后即失效。
CXESD-5VDSA 正是面向这一需求推出的 5V 大电流 ESD 保护器件。其 100A 的峰值脉冲电流与 1300W 的峰值脉冲功率,使其能够吸收普通 ESD 器件难以承受的高能量瞬态,适合安装在电池连接器、充电接口、Vbat 引脚与电源输入端作为主保护器件。同时,器件的 11.8V@100A 钳位电压意味着即使在 100A 的大电流冲击下,被保护节点的电压也被限制在 13V 以内,为后级电源管理芯片与电池保护电路提供了可靠的电压屏障。
CXESD-5VDSA 采用 DFN1610-2L 封装,本体尺寸 1.60mm×1.00mm、高度 0.50mm,相比 SOD523 等传统封装具有更好的散热能力与更低的寄生电感,适合大电流泄放路径。单向结构在正向导通时具有约 0.7V 的低正向压降,适合直流电源线与极性已知的电池连接;器件在反向瞬态下通过雪崩击穿泄放,钳位电压低、响应快。900pF~1000pF 的结电容对于电源线与电池线而言完全可接受,不会影响直流供电质量。
2. 主要特点与技术亮点
- 大电流泄放能力:8/20μs 波形下峰值脉冲电流达 100A,可覆盖电池插拔、线缆放电与感应雷击等高能量瞬态。
- 高峰值脉冲功率:峰值脉冲功率 1300W,在 5V 等级保护器件中属于高能量等级,适合作为电源线主保护。
- 低钳位电压:100A 峰值电流下钳位电压典型 11.8V、最大 13.0V;1.0A 下典型 7.6V,为 5V 电源后级提供可靠保护。
- ±30kV ESD 保护:空气放电 ±30kV、接触放电 ±30kV,满足 IEC 61000-4-2 严苛等级要求。
- 低正向压降:10mA 正向电流下正向压降典型 0.7V、最大 0.9V,负向瞬态泄放损耗小。
- DFN1610-2L 封装:本体尺寸 1.60mm×1.00mm、高度 0.50mm,散热能力优于小型封装,适合大电流路径。
- 低漏电流:5V 反向工作电压下漏电流最大 200nA,对电池供电设备待机功耗影响可控。
- 宽工作温度范围:工作温度 -40℃~+125℃,存储温度 -55℃~+150℃,最大焊接引脚温度 260℃(10s)。
3. 电路原理图与引脚配置
CXESD-5VDSA 为两引脚单向结构:一个引脚为阴极(Cathode),另一个引脚为阳极(Anode)。典型应用中,阴极连接被保护的电源线或电池正极,阳极连接地(GND)。当被保护线上出现正向 ESD 或浪涌脉冲时,器件进入雪崩击穿状态,把瞬态电流泄放到地,将线电压钳制在 13V 以内;当线上出现负向脉冲时,二极管正向导通,把负压钳位在约 -0.7V。单向结构特别适合直流电源线与电池连接等极性明确的位置。

图2. 典型应用电路

引脚封装图
| 引脚 | 名称 | 功能说明 |
|---|---|---|
| 1 | Cathode(阴极) | 连接被保护的电源线或电池正极,为器件雪崩击穿端 |
| 2 | Anode(阳极) | 连接系统地 GND,为瞬态电流泄放回路 |
4. 极限参数与电气特性
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Tp = 8/20μs) | Pppm | 1300 | W |
| 额定峰值脉冲电流(Tp = 8/20μs) | Ippm | 100 | A |
| ESD 电压 IEC 61000-4-2(空气放电) | VESD | 30 | kV |
| ESD 电压 IEC 61000-4-2(接触放电) | VESD | 30 | kV |
| 焊接时引脚最高温度(10s) | TL | 260 | ℃ |
| 存储温度范围 | Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
| 工作温度范围 | TJ | -40 ~ +125 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 反向工作电压 | VRWM | — | — | 5.0 | V | — |
| 击穿电压 | VBR | 6.5 | 7.4 | 8.2 | V | IT = 1mA |
| 漏电流 | IL | — | — | 200 | nA | VRWM = 5.0V |
| 正向压降 | VF | 0.6 | — | 0.9 | V | IF = 10mA |
| 钳位电压(Ipp=1.0A) | VC | — | 7.6 | — | V | Ipp=1.0A,Tp=8/20μs |
| 钳位电压(Ipp=100A) | VC | — | 11.8 | 13.0 | V | Ipp=100A,Tp=8/20μs |
| 结电容 | Cj | — | 900 | 1000 | pF | VR=0V,f=1MHz |
| 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
|---|---|---|---|
| A(本体高度) | 0.45 | 0.50 | 0.55 |
| D(本体长度) | 1.55 | 1.60 | 1.65 |
| E(本体宽度) | 0.95 | 1.00 | 1.05 |
| b(焊盘宽度) | 0.35 | 0.40 | 0.45 |
| L(焊盘长度) | 0.75 | 0.80 | 0.85 |
| e(焊盘中心距) | — | 1.10 | — |
| h(倒角) | 0.15 | 0.20 | 0.25 |
5. 工作原理与设计指导
5.1 单向大电流 ESD 保护的工作过程
CXESD-5VDSA 内部为一只大电流雪崩二极管。正常工作时,线路电压低于 5.0V 反向工作电压,器件处于截止状态,漏电流不超过 200nA,对系统几乎无影响。当瞬态事件发生时,线电压超过击穿电压(6.5V~8.2V)后器件进入雪崩击穿,等效阻抗急剧下降,把大电流脉冲旁路到地,同时把线电压钳制在 13V 以内。由于器件设计上针对大电流做了优化,即使在 100A 的峰值电流下仍能维持较低的钳位电压,这是普通小型 ESD 器件难以做到的。脉冲结束后,线电压回落,器件自动恢复到高阻截止状态。
5.2 大电流能力对电源线保护的价值
电源线、电池连接线与 Vbat 引脚面临的应力与数据线有本质区别:人体静电脉冲虽然电压高,但峰值电流通常在数安培到数十安培、持续时间纳秒级;而电池插拔、线缆放电与感应雷击则可能产生数十到上百安培、微秒级的能量型脉冲。CXESD-5VDSA 的 100A/1300W 等级正是为后一类应力设计,能够在不损坏的前提下把能量泄放掉。对于电池供电设备,这意味着充电接口、电池连接器与 Vbat 走线可以在一次意外浪涌后继续正常工作,而不需要返修。
5.3 钳位电压与后级耐压匹配
CXESD-5VDSA 在 100A 峰值电流下钳位电压典型 11.8V、最大 13.0V,1.0A 下典型 7.6V。对于 5V 电源管理芯片与电池保护电路,这一钳位水平意味着在大电流瞬态期间后级节点电压被限制在 13V 以内,远低于不保护时可能达到的数十伏。设计时仍需确认后级芯片的绝对最大输入电压,并在保护器件与后级之间保留适当走线阻抗以分担残压。对于电池正极 Vbat 引脚,建议保护器件紧贴连接器放置,使瞬态电流在进入 PCB 内部前被旁路。
5.4 ESD 保护等级与响应速度
CXESD-5VDSA 支持空气放电 ±30kV、接触放电 ±30kV,符合 IEC 61000-4-2 严苛等级。器件的响应速度与结电容、封装寄生电感有关,DFN1610 封装的低寄生电感有助于快速建立泄放通路。实际保护效果与 PCB 布局密切相关,保护器件应尽量靠近连接器或干扰入口,地回路应短而宽,避免寄生电感导致钳位电压过冲。
5.5 结电容与适用边界
器件结电容典型 900pF、最大 1000pF。对于电源线、电池线与 Vbat 引脚,这一容值完全可接受,不会影响直流供电质量;但对于高速数据线,900pF 会严重劣化信号,因此 CXESD-5VDSA 不适用于数据接口保护。选型时应明确区分"电源线保护"与"数据线保护"两类需求:前者关注大电流与低钳位,后者关注低电容与信号完整性。
6. 典型应用设计实例
设计目标:某手持便携设备提供电池连接器、充电接口与 Vbat 供电走线,要求在电池插拔、充电器插拔与整机 ESD 测试中保护后级电源管理芯片,并满足 IEC 61000-4-2 ±30kV 与 IEC 61000-4-5 浪涌要求。
- 电池连接器保护:在电池正极与地之间并联一颗 CXESD-5VDSA,阴极接电池正极,阳极接 PGND,器件紧贴电池连接器放置;100A 浪涌能力可吸收电池插拔瞬间的能量冲击。
- 充电接口保护:在 5V 充电输入端并联 CXESD-5VDSA,配合后级充电管理芯片构成主保护,钳位电压 13V 以内可保护充电芯片输入引脚。
- Vbat 走线保护:在 Vbat 走线进入 PMIC 之前并联一颗 CXESD-5VDSA,防止走线拾取的瞬态能量进入 PMIC。
- 接地处理:保护器件地引脚以最短路径连接到电池连接器附近的 PGND,避免瞬态电流流过敏感模拟地。
- 布局要点:大电流路径应短而宽,保护器件与连接器之间走线建议控制在 5mm 以内;DFN1610 焊盘按推荐 footprint 设计,地焊盘连接足够铜箔以辅助散热。
7. PCB 布局建议
- 靠近干扰入口:保护器件应尽可能贴近电池连接器、充电接口或电源输入端子,使瞬态电流在进入 PCB 内部之前被旁路到地。
- 缩短地回路:地引脚到地的走线应短而宽,优先通过多个过孔直接连接地平面,减小寄生电感引起的钳位电压过冲。
- 大电流路径设计:被保护电源线应先经过保护器件再进入后级芯片,走线宽度应满足 100A 瞬态电流的短时承载要求,避免走线本身成为瓶颈。
- 地与地分离:保护器件地应连接到电源地或机壳地,避免瞬态大电流污染敏感模拟地平面。
- 并联使用:CXESD-5VDSA 为并联型保护器件,必须跨接在电源线与地之间,切勿串联在供电路径中。
- 焊接与散热:DFN1610-2L 封装具有底部焊盘,回流焊时需保证焊盘充分润湿;地焊盘建议连接较大铜箔以辅助散热,提升重复浪涌下的可靠性。
- 丝印与方向:器件为单向结构,阴极有极性标识,布局与贴装时务必确认方向,反向贴装将导致保护功能失效。
8. 订购信息与技术支持
| 器件型号 | 封装 | 包装形式 | 卷盘尺寸 |
|---|---|---|---|
| CXESD-5VDSA | DFN1610-2L | 卷带(Tape & Reel) | 7 Inch |
CXESD-5VDSA 采用无铅、RoHS 合规的 DFN1610-2L 塑料封装,提供卷带包装以适应自动化贴片生产。嘉泰姆电子提供工程样品、量产供货及完整的技术资料,包括数据手册、封装尺寸图、推荐焊盘、回流焊曲线与 Soldering Parameters,并可根据客户应用场景提供 ESD/浪涌防护方案评估。
技术邮件: ouamo18@jtm-ic.com | 技术热线: 13823140578

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