CXESD-5VDSA 5V单向大电流ESD静电保护二极管 | DFN1610封装 | 100A浪涌 | 1300W - 嘉泰姆电子

CXESD-5VDSA 5V单向大电流ESD静电保护二极管 | DFN1610封装 | 100A浪涌 | 1300W - 嘉泰姆电子

产品型号:CXESD-5VDSA
产品类型:电池保护IC
产品系列:ESD静电保护管
产品状态:量产
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产品简介

CXESD-5VDSA 是一款5V单向大电流ESD静电保护二极管,采用DFN1610-2L封装,反向工作电压5V,钳位电压11.8V@100A,通过IEC61000-4-2 ±30kV空气/接触放电及IEC61000-4-5 100A浪涌测试,峰值脉冲功率高达1300W,适用于电源线保护、电池保护、移动设备Vbat引脚及便携电子产品等高能量瞬态防护场景。嘉泰姆电子提供样品申请与FAE技术支持。

技术参数

输入电压范围 (VIN)5V
输出电流 (IOUT)100A
工作频率1MHz
转换效率95%
封装类型DFN1610-2L
TypeESD静电保护管
Overcharge voltage6.5V~8.2V
Overcurrent current100A
Short protection支持
Operating temp-20~150℃
Features单向
Application手机,便携设备,数码相机,电源
结电容(typ)900pF
ESD保护30kV (空气/接触)
Pppm1300W

产品详细介绍

CXESD-5VDSA 5V单向大电流ESD静电保护二极管 | DFN1610封装 | 100A浪涌 | 1300W - 嘉泰姆电子

CXESD-5VDSA 5V 单向大电流 ESD 静电保护二极管
DFN1610-2L 封装 | 100A 浪涌 | 1300W 峰值脉冲功率 | ±30kV 空气/接触放电

产品版本:Rev 1.0 | 更新日期:2026年7月 | 型号:CXESD-5VDSA | 封装:DFN1610-2L

嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的 CXESD-5VDSA 是一款采用 DFN1610-2L 塑料封装的 单向大电流静电放电(ESD)保护二极管,专为需要高能量瞬态防护的电源线、电池线与 Vbat 引脚等位置设计。器件反向工作电压(VRWM)为 5.0V Max,击穿电压 6.5V~8.2V,在 100A 峰值脉冲电流下钳位电压低至 11.8V(典型值)、最大 13.0V,1.0A 下典型钳位电压约 7.6V,能在大电流瞬态到来时把电压限制在安全范围。CXESD-5VDSA 的核心优势是 大电流与高功率承受能力:峰值脉冲电流高达 100A(8/20μs,IEC 61000-4-5),峰值脉冲功率 1300W,ESD 抗扰能力达到 ±30kV(空气放电)/ ±30kV(接触放电)(IEC 61000-4-2),在同类 5V 保护器件中属于高能量等级。器件漏电流最大 200nA,正向压降典型 0.7V,是电源线保护、电池保护、移动设备 Vbat 引脚、手持便携应用、手机及配件以及便携电子产品等高能量瞬态防护的理想选择。

核心优势: 5V 反向工作电压 | 单向单线保护 | 大电流 100A(8/20μs) | 峰值脉冲功率 1300W | 低钳位电压 11.8V@100A | DFN1610-2L 封装(1.6×1.0mm) | ±30kV 空气/接触 ESD | 正向压降 0.7V | 漏电流 ≤200nA | 工作温度 -40℃~+125℃。

1. 产品概述与市场定位

在移动设备、便携电子产品与电池供电系统中,电源线、电池连接线与 Vbat 引脚是最容易承受大能量瞬态应力的位置。与数据线不同,这些位置不仅需要抵抗人体静电(数安培级、纳秒级),还可能承受线缆放电、电池插拔浪涌甚至感应雷击(数十至上百安培、微秒级)。普通的低电容 ESD 器件虽然结电容小,但浪涌承受能力有限,若用于电源线保护可能在一次较大瞬态后即失效。

CXESD-5VDSA 正是面向这一需求推出的 5V 大电流 ESD 保护器件。其 100A 的峰值脉冲电流与 1300W 的峰值脉冲功率,使其能够吸收普通 ESD 器件难以承受的高能量瞬态,适合安装在电池连接器、充电接口、Vbat 引脚与电源输入端作为主保护器件。同时,器件的 11.8V@100A 钳位电压意味着即使在 100A 的大电流冲击下,被保护节点的电压也被限制在 13V 以内,为后级电源管理芯片与电池保护电路提供了可靠的电压屏障。

CXESD-5VDSA 采用 DFN1610-2L 封装,本体尺寸 1.60mm×1.00mm、高度 0.50mm,相比 SOD523 等传统封装具有更好的散热能力与更低的寄生电感,适合大电流泄放路径。单向结构在正向导通时具有约 0.7V 的低正向压降,适合直流电源线与极性已知的电池连接;器件在反向瞬态下通过雪崩击穿泄放,钳位电压低、响应快。900pF~1000pF 的结电容对于电源线与电池线而言完全可接受,不会影响直流供电质量。

2. 主要特点与技术亮点

单向单线保护电源线/电池线适用
5V 反向工作电压VRWM = 5.0V Max
大电流能力100A(8/20μs)
高峰值脉冲功率1300W
低钳位电压11.8V Typ @ 100A
高 ESD 耐受±30kV 空气/接触
低正向压降0.7V Typ @ 10mA
DFN1610-2L 封装1.6×1.0mm 散热佳
  • 大电流泄放能力:8/20μs 波形下峰值脉冲电流达 100A,可覆盖电池插拔、线缆放电与感应雷击等高能量瞬态。
  • 高峰值脉冲功率:峰值脉冲功率 1300W,在 5V 等级保护器件中属于高能量等级,适合作为电源线主保护。
  • 低钳位电压:100A 峰值电流下钳位电压典型 11.8V、最大 13.0V;1.0A 下典型 7.6V,为 5V 电源后级提供可靠保护。
  • ±30kV ESD 保护:空气放电 ±30kV、接触放电 ±30kV,满足 IEC 61000-4-2 严苛等级要求。
  • 低正向压降:10mA 正向电流下正向压降典型 0.7V、最大 0.9V,负向瞬态泄放损耗小。
  • DFN1610-2L 封装:本体尺寸 1.60mm×1.00mm、高度 0.50mm,散热能力优于小型封装,适合大电流路径。
  • 低漏电流:5V 反向工作电压下漏电流最大 200nA,对电池供电设备待机功耗影响可控。
  • 宽工作温度范围:工作温度 -40℃~+125℃,存储温度 -55℃~+150℃,最大焊接引脚温度 260℃(10s)。

3. 电路原理图与引脚配置

CXESD-5VDSA 为两引脚单向结构:一个引脚为阴极(Cathode),另一个引脚为阳极(Anode)。典型应用中,阴极连接被保护的电源线或电池正极,阳极连接地(GND)。当被保护线上出现正向 ESD 或浪涌脉冲时,器件进入雪崩击穿状态,把瞬态电流泄放到地,将线电压钳制在 13V 以内;当线上出现负向脉冲时,二极管正向导通,把负压钳位在约 -0.7V。单向结构特别适合直流电源线与电池连接等极性明确的位置。

典型应用电路
图2. 典型应用电路

引脚封装图
引脚封装图

引脚定义说明
引脚名称功能说明
1Cathode(阴极)连接被保护的电源线或电池正极,为器件雪崩击穿端
2Anode(阳极)连接系统地 GND,为瞬态电流泄放回路
表1. CXESD-5VDSA 引脚定义

4. 极限参数与电气特性

极限参数(TA = 25℃,除非另有说明)
参数符号数值单位
峰值脉冲功率(Tp = 8/20μs)Pppm1300W
额定峰值脉冲电流(Tp = 8/20μs)Ippm100A
ESD 电压 IEC 61000-4-2(空气放电)VESD30kV
ESD 电压 IEC 61000-4-2(接触放电)VESD30kV
焊接时引脚最高温度(10s)TL260℃
存储温度范围Tstg-55 ~ +150℃
工作温度范围TJ-40 ~ +125℃
表2. 极限参数(超过表中数值可能造成器件永久损坏)
电气特性(TA = 25℃,除非另有说明)
参数符号最小典型最大单位测试条件
反向工作电压VRWM——5.0V—
击穿电压VBR6.57.48.2VIT = 1mA
漏电流IL——200nAVRWM = 5.0V
正向压降VF0.6—0.9VIF = 10mA
钳位电压(Ipp=1.0A)VC—7.6—VIpp=1.0A,Tp=8/20μs
钳位电压(Ipp=100A)VC—11.813.0VIpp=100A,Tp=8/20μs
结电容Cj—9001000pFVR=0V,f=1MHz
表3. 电气特性
DFN1610-2L 封装尺寸(单位:mm)
符号最小值典型值最大值
A(本体高度)0.450.500.55
D(本体长度)1.551.601.65
E(本体宽度)0.951.001.05
b(焊盘宽度)0.350.400.45
L(焊盘长度)0.750.800.85
e(焊盘中心距)—1.10—
h(倒角)0.150.200.25
表4. DFN1610-2L 封装外形尺寸

5. 工作原理与设计指导

5.1 单向大电流 ESD 保护的工作过程

CXESD-5VDSA 内部为一只大电流雪崩二极管。正常工作时,线路电压低于 5.0V 反向工作电压,器件处于截止状态,漏电流不超过 200nA,对系统几乎无影响。当瞬态事件发生时,线电压超过击穿电压(6.5V~8.2V)后器件进入雪崩击穿,等效阻抗急剧下降,把大电流脉冲旁路到地,同时把线电压钳制在 13V 以内。由于器件设计上针对大电流做了优化,即使在 100A 的峰值电流下仍能维持较低的钳位电压,这是普通小型 ESD 器件难以做到的。脉冲结束后,线电压回落,器件自动恢复到高阻截止状态。

5.2 大电流能力对电源线保护的价值

电源线、电池连接线与 Vbat 引脚面临的应力与数据线有本质区别:人体静电脉冲虽然电压高,但峰值电流通常在数安培到数十安培、持续时间纳秒级;而电池插拔、线缆放电与感应雷击则可能产生数十到上百安培、微秒级的能量型脉冲。CXESD-5VDSA 的 100A/1300W 等级正是为后一类应力设计,能够在不损坏的前提下把能量泄放掉。对于电池供电设备,这意味着充电接口、电池连接器与 Vbat 走线可以在一次意外浪涌后继续正常工作,而不需要返修。

5.3 钳位电压与后级耐压匹配

CXESD-5VDSA 在 100A 峰值电流下钳位电压典型 11.8V、最大 13.0V,1.0A 下典型 7.6V。对于 5V 电源管理芯片与电池保护电路,这一钳位水平意味着在大电流瞬态期间后级节点电压被限制在 13V 以内,远低于不保护时可能达到的数十伏。设计时仍需确认后级芯片的绝对最大输入电压,并在保护器件与后级之间保留适当走线阻抗以分担残压。对于电池正极 Vbat 引脚,建议保护器件紧贴连接器放置,使瞬态电流在进入 PCB 内部前被旁路。

5.4 ESD 保护等级与响应速度

CXESD-5VDSA 支持空气放电 ±30kV、接触放电 ±30kV,符合 IEC 61000-4-2 严苛等级。器件的响应速度与结电容、封装寄生电感有关,DFN1610 封装的低寄生电感有助于快速建立泄放通路。实际保护效果与 PCB 布局密切相关,保护器件应尽量靠近连接器或干扰入口,地回路应短而宽,避免寄生电感导致钳位电压过冲。

5.5 结电容与适用边界

器件结电容典型 900pF、最大 1000pF。对于电源线、电池线与 Vbat 引脚,这一容值完全可接受,不会影响直流供电质量;但对于高速数据线,900pF 会严重劣化信号,因此 CXESD-5VDSA 不适用于数据接口保护。选型时应明确区分"电源线保护"与"数据线保护"两类需求:前者关注大电流与低钳位,后者关注低电容与信号完整性。

6. 典型应用设计实例

设计目标:某手持便携设备提供电池连接器、充电接口与 Vbat 供电走线,要求在电池插拔、充电器插拔与整机 ESD 测试中保护后级电源管理芯片,并满足 IEC 61000-4-2 ±30kV 与 IEC 61000-4-5 浪涌要求。

  • 电池连接器保护:在电池正极与地之间并联一颗 CXESD-5VDSA,阴极接电池正极,阳极接 PGND,器件紧贴电池连接器放置;100A 浪涌能力可吸收电池插拔瞬间的能量冲击。
  • 充电接口保护:在 5V 充电输入端并联 CXESD-5VDSA,配合后级充电管理芯片构成主保护,钳位电压 13V 以内可保护充电芯片输入引脚。
  • Vbat 走线保护:在 Vbat 走线进入 PMIC 之前并联一颗 CXESD-5VDSA,防止走线拾取的瞬态能量进入 PMIC。
  • 接地处理:保护器件地引脚以最短路径连接到电池连接器附近的 PGND,避免瞬态电流流过敏感模拟地。
  • 布局要点:大电流路径应短而宽,保护器件与连接器之间走线建议控制在 5mm 以内;DFN1610 焊盘按推荐 footprint 设计,地焊盘连接足够铜箔以辅助散热。
设计支持: 嘉泰姆电子提供 CXESD-5VDSA 样品、封装库文件、EMC 整改建议与 FAE 技术支持,可协助工程师完成从选型到布局的完整防护方案设计。

7. PCB 布局建议

  • 靠近干扰入口:保护器件应尽可能贴近电池连接器、充电接口或电源输入端子,使瞬态电流在进入 PCB 内部之前被旁路到地。
  • 缩短地回路:地引脚到地的走线应短而宽,优先通过多个过孔直接连接地平面,减小寄生电感引起的钳位电压过冲。
  • 大电流路径设计:被保护电源线应先经过保护器件再进入后级芯片,走线宽度应满足 100A 瞬态电流的短时承载要求,避免走线本身成为瓶颈。
  • 地与地分离:保护器件地应连接到电源地或机壳地,避免瞬态大电流污染敏感模拟地平面。
  • 并联使用:CXESD-5VDSA 为并联型保护器件,必须跨接在电源线与地之间,切勿串联在供电路径中。
  • 焊接与散热:DFN1610-2L 封装具有底部焊盘,回流焊时需保证焊盘充分润湿;地焊盘建议连接较大铜箔以辅助散热,提升重复浪涌下的可靠性。
  • 丝印与方向:器件为单向结构,阴极有极性标识,布局与贴装时务必确认方向,反向贴装将导致保护功能失效。

8. 订购信息与技术支持

器件型号封装包装形式卷盘尺寸
CXESD-5VDSADFN1610-2L卷带(Tape & Reel)7 Inch
表5. 订购信息

CXESD-5VDSA 采用无铅、RoHS 合规的 DFN1610-2L 塑料封装,提供卷带包装以适应自动化贴片生产。嘉泰姆电子提供工程样品、量产供货及完整的技术资料,包括数据手册、封装尺寸图、推荐焊盘、回流焊曲线与 Soldering Parameters,并可根据客户应用场景提供 ESD/浪涌防护方案评估。

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