CXLE8416 CXLE8417原边反馈模式有源功率因数校正电路高功率因数低总谐波失真电感电流临界连续模式功率MOS管处于零电流开通状态85Vac～265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源

CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流
控制芯片， 适用于85Vac～265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。CXLE8416
CXLE8417集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。
由于工作在电感电流临界连续模式， 功率MOS 管处于零电流开通状态，开关损耗得以减
小，同时变压器的利用率也较高。
CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式，无需次级反馈电路，即可实现高精度输
出恒流控制，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。 CXLE8416 CXLE8417内
部集成700V功率MOSFET，只需要很少的外围器件，节约了系统成本和体积，提高了系
统的可靠性。
CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异，同时线电压补偿系数还
可以通过外部元件灵活调整。
CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性，包括LED开路保护、LED
短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有
的保护都具有自动重启功能。另外，CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能，在驱动电
源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。
单级、有源功率因数校正，高PF 值，低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制，无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高，功耗低
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期原边电流限流
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能

目录

1.产品概述       2.产品特点     3.应用范围      4.技术规格书下载（产品PDF文档） 
5.产品封装图   6.电路原理图  7.功能概述      8.相关产品

一,产品概述(General Description)      

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   CXLE8416 CXLE8417是一款单级、带有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流控制芯片， 适用于85Vac～265Vac全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。CXLE8416 CXLE8417集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式， 功率MOS 管处于零电流开通状态，开关损耗得以减小，同时变压器的利用率也较高。
      CXLE8416 CXLE8417工作于原边反馈模式，无需次级反馈电路，即可实现高精度输出恒流控制，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。 CXLE8416 CXLE8417内部集成700V功率MOSFET，只需要很少的外围器件，节约了系统成本和体积，提高了系统的可靠性。
     CXLE8416 CXLE8417线电压调整率和负载调整率参数优异，同时线电压补偿系数还可以通过外部元件灵活调整。    CXLE8416 CXLE8417内置多重保护功能来加强系统可靠性，包括LED开路保护、LED短路保护、芯片供电过压保护、欠压保护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有的保护都具有自动重启功能。另外，CXLE8416 CXLE8417具有过热调节功能，在驱动电源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。CXLE8416 CXLE8417采用SOP-8/DIP-7
封装。
二.产品特点(Features)

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单级、有源功率因数校正，高PF 值，低THD
内置700V 高压功率MOSFET
原边反馈恒流控制，无需次级反馈电路
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低启动电流
FB 反馈电阻值高，功耗低
LED 开路/短路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期原边电流限流
芯片供电过压/欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
三,应用范围 (Applications)

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LED
四.技术规格书下载（产品PDF）

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五,产品封装图 (Package)

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引脚号	符号	功能
1	COMP	环路补偿点
2	VDD	芯片电源
3	FB	反馈信号采样端
4	ISEN	电流采样端，接采样电阻到地
5、6	DRAIN	内部 MOSFET 的漏端
7、8	GND	芯片地

六.电路原理图

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七,功能概述

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项目	符号	参数范围	单位
电源电压	VDD	-0.3～25	V
VDD 引脚最大钳位电流	ICC_MAX	5	mA
环路补偿点电压	VCOMP	-0.3～6	V
辅助绕组的反馈端电压	VFB	-0.3～6	V
电流采样端电压	VISEN	-0.3～6	V
内部功率 MOSFET 漏极到源极的峰值电压	VMOS-DS	-0.3～700	V
o 最大耗散功率(Ta=25 C)	Ptot	0.45@ SOP-8	W
		0.90@ DIP-7
热阻结-环境
	Rthj-a	145@ SOP-8	℃/W
80@ DIP-7
工作结温范围
TJ	-40～150	℃
存储温度范围	TSTG	-55～150	℃
ESD		2,000	V

八,相关芯片选择指南

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隔离产品
产品型号	隔离/非隔离	内置功率管	封装形式	功率范围
CXLE8413	Y	MOSFET,650V/0.8A	SOP-8	5-7W	(SOP-8)_CN
CXLE8414	Y	MOSFET,650V/1.2A	SOP-8	7-9W	(SOP-8)_CN
CXLE8415A	Y	MOSFET,650/2.0A	DIP-7	12-18W	(DIP-7)_CN
CXLE8416	Y	MOSFET,700V/3.0A	SOP-8,DIP-7	12-18W	(SOP-8&DIP-7)_CN
CXLE8417	Y	MOSFET,700V/4.0A	DIP-7	18-24W	(DIP-7)_CN
CXLE8418	Y	MOSFET,BJT	SOP-8	UP to 60W	(SOP-8)_CN