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CXCP5377是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。
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The CXCP5377 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

CXCP5377是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。
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   产品概述 返回TOPo8Z嘉泰姆


The CXCP5377 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

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   产品特点 返回TOPo8Z嘉泰姆


● RDS(ON)≦215mΩ@VGS=-10V o8Z嘉泰姆

● RDS(ON)≦260mΩ@VGS=-4.5V o8Z嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) o8Z嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability o8Z嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bondingo8Z嘉泰姆

   应用范围 返回TOPo8Z嘉泰姆


● Power Management o8Z嘉泰姆

● Portable Equipment o8Z嘉泰姆

● Battery Powered System o8Z嘉泰姆

● Load Switcho8Z嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP o8Z嘉泰姆


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 QQ截图20160419174301.jpgo8Z嘉泰姆

产品封装图 返回TOPo8Z嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPo8Z嘉泰姆


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RDS(on)o8Z嘉泰姆

封装o8Z嘉泰姆

(Max)o8Z嘉泰姆

 

(Typ)o8Z嘉泰姆

(Max)o8Z嘉泰姆

 

(Max)o8Z嘉泰姆

BSS84o8Z嘉泰姆

P沟道o8Z嘉泰姆

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-30Vo8Z嘉泰姆

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CXCP5373/Bo8Z嘉泰姆

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CXCP5383o8Z嘉泰姆

P沟道o8Z嘉泰姆

-30Vo8Z嘉泰姆

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