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CXCP5367BKR CXCP5367BSR CXCP5367BJR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to mini
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CXCP5367BKR CXCP5367BSR CXCP5367BJR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance

CXCP5367BKR CXCP5367BSR CXCP5367BJR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to mini
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   产品概述 返回TOPFr8嘉泰姆

The CXCP5367BKR/BSR/BJR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance

   产品特点 返回TOPFr8嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.48Ω @VGS=-4.5V Fr8嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.67Ω @VGS=-2.5V Fr8嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.95Ω @VGS=-1.8V Fr8嘉泰姆

● RDS(ON)= 2.20Ω @VGS=-1.5V Fr8嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Fr8嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Fr8嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bondingFr8嘉泰姆

   应用范围 返回TOPFr8嘉泰姆

● Power Management in Note book Fr8嘉泰姆

● Portable Equipment Fr8嘉泰姆

● Battery Powered SystemFr8嘉泰姆

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP Fr8嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgFr8嘉泰姆

产品封装图 返回TOPFr8嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPFr8嘉泰姆

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单P沟道低压MOS场效应管Fr8嘉泰姆

型号Fr8嘉泰姆

沟道Fr8嘉泰姆

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VTHFr8嘉泰姆

IDFr8嘉泰姆

IDMFr8嘉泰姆

RDS(on)Fr8嘉泰姆

封装Fr8嘉泰姆

(Max)Fr8嘉泰姆

  

(Typ)Fr8嘉泰姆

(Max)Fr8嘉泰姆

  

(Max)Fr8嘉泰姆

BSS84Fr8嘉泰姆

P沟道Fr8嘉泰姆

-50VFr8嘉泰姆

20VFr8嘉泰姆

-2.0VFr8嘉泰姆

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-0.52AFr8嘉泰姆

8mΩFr8嘉泰姆

SOT23Fr8嘉泰姆

CX08P12DFr8嘉泰姆

P沟道Fr8嘉泰姆

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P沟道Fr8嘉泰姆

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-0.7VFr8嘉泰姆

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DNF2*2-6Fr8嘉泰姆

CXCP5367/AFr8嘉泰姆

P沟道Fr8嘉泰姆

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-3AFr8嘉泰姆

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