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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D，advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages
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The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D，advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages
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   产品概述 返回TOPhTB嘉泰姆

The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

   产品特点 返回TOPhTB嘉泰姆

● VDS = -12V,ID = -16A hTB嘉泰姆

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-2.5V hTB嘉泰姆

RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=-4.5V hTB嘉泰姆

● Advanced trench MOSFET process technology hTB嘉泰姆

● Ultra low on-resistance with low gate chargehTB嘉泰姆

   应用范围 返回TOPhTB嘉泰姆

● PWM applications hTB嘉泰姆

● Load switch hTB嘉泰姆

● Battery charge in cellular handsethTB嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpghTB嘉泰姆

产品封装图 返回TOPhTB嘉泰姆

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电路原理图 返回TOPhTB嘉泰姆

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