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CXMS5259为PWM负载开关高密度单元降低了导通电阻高频率工作指数先进的MOS工艺技术超低的导通电阻与低栅极电荷快速切换和反向恢复
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CXMS5259采用了最新的处理技术,以实现高密度单元,并降低了导通电阻高频率工作指数。这些功能结合起来,使这个设计成为一个非常有效和可靠的用于功率开关和各种其他应用设备的产品
 先进的MOS工艺技术
 为PWM、负载开关和其他通用应用的特殊设计
 超低的导通电阻与低栅极电荷
 快速切换和反向恢复
 150℃的工作温度
 无铅产品

CXMS5259为PWM负载开关高密度单元降低了导通电阻高频率工作指数先进的MOS工艺技术超低的导通电阻与低栅极电荷快速切换和反向恢复
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   产品概述 返回TOPo4G嘉泰姆


CXMS5259采用了最新的处理技术,以实现高密度单元,并降低了导通电阻高频率工作指数。这些功能结合起来,使这个设计成为一个非常有效和可靠的用于功率开关和各种其他应用设备的产品

   产品特点 返回TOPo4G嘉泰姆


 先进的MOS工艺技术 o4G嘉泰姆

 为PWM、负载开关和其他通用应用的特殊设计 o4G嘉泰姆

 超低的导通电阻与低栅极电荷 o4G嘉泰姆

 快速切换和反向恢复 o4G嘉泰姆

 150℃的工作温度 o4G嘉泰姆

 无铅产品o4G嘉泰姆

   应用范围 返回TOPo4G嘉泰姆


用于功率开关等o4G嘉泰姆

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