CXMS5261电源管理小功率驱动等高级的加工技术极低的导通电阻高密度的单元设计
VDS= -30V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-7A = 12mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5A = 17mΩ@TYP
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[ CXMS5261 ]
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产品概述 返回TOP
VDS= -30V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-7A = 12mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-5A = 17mΩ@TYP
产品特点 返回TOP
高级的加工技术
极低的导通电阻高密度的单元设计
改良的成型工艺
应用范围 返回TOP
电源管理、小功率驱动等
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型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
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18V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23-3 |
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电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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30V P 沟道 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT-23 |
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20V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
TFT屏、数码相机、便携式小音响等 |
SOP-8 |
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P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOT23 |
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-30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOT23-6 |
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20V 高密度 P 沟道 MOS 管 |
笔记本、便携式设备等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
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双重增强型 MOSFET(N-P 沟道) |
笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统 |
SOP-8 |
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20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 |
LED屏驱动等 |
SOP-8 |
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