CXMS5191 P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS
沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应
用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
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[ CXMS5191 ]
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）
一.产品概述
CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS
沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应
用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
二.产品特点
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
● 采用SOP8封装
三.应用范围
● 电源管理
● 负载开关
● 电池保护
四.技术规格书（产品PDF)
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五.产品封装图
六.电路原理图
|
参数 |
符号 |
极限值 |
单位 |
|
漏级电压 |
VDSS |
-30V |
V |
|
栅级电压 |
VGSS |
±20 |
V |
|
漏级电流 |
ID |
-4 |
A |
|
允许最大功耗 |
PD |
2 |
W |
|
工作温度 |
TOpr |
150 |
℃ |
|
存贮温度 |
Tstg |
-65/150 |
℃ |
七.相关芯片选择指南
| 系列名称 | 输入电压 (V) | 输出电压 (V) | 最大输出电流 (A) | 封装 | 特点 | |||
| 最小 | 最大 | 最小 | 标准 | 最大 | ||||
| CXMS5191 | 30V | 4 | SOP8 | P沟道增强型场效应管 | ||||
| CXMS5192 | 30V | 4 | SOP8 | 带散热片P沟道增强型场效应管 | ||||
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