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评论：CXMS5216P沟道增强型场效应晶体管高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合低压应用低功耗超低导通电阻高密度电池设计
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5216P沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小通态电阻。这种器件特别适合低压应用，低功耗，低功耗，在一个非常小的外形表面安装封装功耗。 超低导通电阻高密度电池设计 -30V/-4.1A RDS(ON)＜88mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.1A RDS(ON)＜108mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
 
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